时间：2025/9/4 12:46:17
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BK13C06-60DS/2-0.35V(895) 是一款由BKC公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电机控制等高频率、高效率的功率系统。该器件封装为DFN5x6或类似的小型化表面贴装封装，适合现代电子设备对小型化和高密度设计的需求。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：130A（在Tc=25℃时）
导通电阻(Rds(on))：最大0.35mΩ（在Vgs=10V时）
最大功耗(Pd)：100W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：DFN5x6或类似
BK13C06-60DS/2-0.35V(895) 采用先进的沟槽式工艺，具有极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低导通损耗，提高电源转换效率。
该MOSFET具有高电流承载能力，在130A的连续漏极电流下仍能保持良好的稳定性和较低的温升，适用于大功率应用场景。
其封装设计优化了热管理性能，具备优异的散热能力，使得器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，提升整体系统的可靠性。
该器件支持高频开关操作，适用于高频率开关电源（如VRM、服务器电源、DC-DC转换器等），有助于减小外围元件尺寸，提高系统效率。
此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行，提升系统的安全性和稳定性。
其栅极驱动电压范围宽（支持4.5V至20V），兼容多种驱动电路设计，适用于多种应用场景，包括电机驱动、电池管理系统、负载开关等。
BK13C06-60DS/2-0.35V(895) 广泛应用于各类高功率、高效率的电源管理系统中，例如服务器电源、VRM（电压调节模块）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源分配单元（PDU）等。
在新能源领域，该器件也可用于储能系统、光伏逆变器、电动汽车充电模块等场合，提供高效、稳定的功率控制能力。
此外，其优异的热性能和高频响应能力也使其适用于工业自动化、智能电网、UPS（不间断电源）等对可靠性和效率要求较高的应用场景。
由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在高功率密度设计中表现出色，能够有效降低系统损耗，提升整体能效。
在消费电子领域，该器件也可用于高性能电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑、高端显卡的供电系统，满足高性能芯片对稳定供电的需求。
SiZ130DT, BSC013N06LS, FDD8882, IPB013N06N3, INF130N6NS, TK8A60W, FDMS86180, AO4407A
