BK13C06-60DS/2-0.35V(895) 是一款由BKC公司制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电机控制等高频率、高效率的功率系统。该器件封装为DFN5x6或类似的小型化表面贴装封装,适合现代电子设备对小型化和高密度设计的需求。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):130A(在Tc=25℃时)
导通电阻(Rds(on)):最大0.35mΩ(在Vgs=10V时)
最大功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:DFN5x6或类似
BK13C06-60DS/2-0.35V(895) 采用先进的沟槽式工艺,具有极低的导通电阻(Rds(on)),有效降低导通损耗,提高电源转换效率。
该MOSFET具有高电流承载能力,在130A的连续漏极电流下仍能保持良好的稳定性和较低的温升,适用于大功率应用场景。
其封装设计优化了热管理性能,具备优异的散热能力,使得器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度,提升整体系统的可靠性。
该器件支持高频开关操作,适用于高频率开关电源(如VRM、服务器电源、DC-DC转换器等),有助于减小外围元件尺寸,提高系统效率。
此外,该MOSFET具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行,提升系统的安全性和稳定性。
其栅极驱动电压范围宽(支持4.5V至20V),兼容多种驱动电路设计,适用于多种应用场景,包括电机驱动、电池管理系统、负载开关等。
BK13C06-60DS/2-0.35V(895) 广泛应用于各类高功率、高效率的电源管理系统中,例如服务器电源、VRM(电压调节模块)、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、负载开关、电源分配单元(PDU)等。
在新能源领域,该器件也可用于储能系统、光伏逆变器、电动汽车充电模块等场合,提供高效、稳定的功率控制能力。
此外,其优异的热性能和高频响应能力也使其适用于工业自动化、智能电网、UPS(不间断电源)等对可靠性和效率要求较高的应用场景。
由于其低导通电阻和高电流能力,该器件在高功率密度设计中表现出色,能够有效降低系统损耗,提升整体能效。
在消费电子领域,该器件也可用于高性能电源管理模块,如笔记本电脑、平板电脑、高端显卡的供电系统,满足高性能芯片对稳定供电的需求。
SiZ130DT, BSC013N06LS, FDD8882, IPB013N06N3, INF130N6NS, TK8A60W, FDMS86180, AO4407A