类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：115mA
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：5Ω（最大值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

L2N7002KN3T5G-OP MOSFET具有多个关键特性，使其在各类电子设计中非常受欢迎。首先，其60V的漏源电压能力使其适用于多种中压应用，能够承受较高的电压应力。其次，该器件的最大连续漏极电流为115mA，在小型封装中提供了相对较高的电流处理能力，这使得它非常适合低功耗电路中的开关应用。
　　该器件的漏源导通电阻最大为5Ω，这在低电压应用中能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，L2N7002KN3T5G-OP具备±20V的栅源电压耐受能力，允许其在较宽的驱动电压范围内稳定工作，提高了设计的灵活性和可靠性。
　　由于采用SOT-23封装，L2N7002KN3T5G-OP在PCB布局中占用的空间非常小，非常适合高密度和便携式设备设计。该封装还具有良好的热性能，能够确保器件在较高环境温度下仍能正常工作。最后，其工作温度范围为-55°C至150°C，适应了广泛的工作环境，包括工业级和汽车电子应用中的严苛条件。

L2N7002KN3T5G-OP常用于电源管理电路，例如DC-DC转换器、电池充电器和负载开关。它也适用于信号开关、逻辑电平转换以及小型电机或继电器的控制。此外，由于其小型封装和高可靠性，该器件广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备和汽车电子系统中。

2N7002, 2N7002K, BSS138, FDV301N, NDS7002A