IXTH160N15T 时间：2025/8/6 9:20:44 阅读：22

IXTH160N15T 是由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高电流、高效率的电源转换应用中。该器件采用先进的沟道技术，提供出色的导通电阻（Rds(on)）和开关性能，适用于工业电源、DC-DC 转换器、电机控制和不间断电源（UPS）系统等领域。该 MOSFET 封装为 TO-247，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：160A
　　最大漏源电压（VDS）：150V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 8.0mΩ @ VGS = 10V
　　最大功率耗散（PD）：400W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTH160N15T 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具备高电流承载能力和出色的热性能，能够适应高功率密度的设计需求。
　　该 MOSFET 采用先进的硅技术和优化的封装设计，提高了可靠性和抗热阻能力，适合在高温环境下长时间运行。其快速开关特性有助于降低开关损耗，从而提升整体能效。
　　IXTH160N15T 还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在突发性电压尖峰或负载突变的情况下保持稳定运行，避免器件损坏，提高系统的鲁棒性。
　　该器件的栅极驱动要求较低，适合与多种驱动 IC 配合使用，简化了外围电路设计。此外，其 TO-247 封装便于安装在散热片上，有助于提高热管理效率。

应用

IXTH160N15T 主要用于高功率 DC-DC 转换器、服务器电源、电信电源系统、工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电机驱动器和高功率负载开关等应用中。由于其低导通电阻和高电流能力，它在需要高效率和高可靠性的电源管理系统中表现优异。
　　该 MOSFET 特别适用于需要高频率开关操作的场合，例如同步整流电路和高频功率变换器。在这些应用中，它的快速开关特性和低损耗表现能够显著提升系统性能。
　　此外，IXTH160N15T 也常用于电池管理系统（BMS）和储能系统中的高电流开关控制，确保系统在高负载条件下稳定运行。