时间：2025/9/14 15:13:58
阅读：11
PDTC143ZQAZ 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的封装技术和高密度功率设计，适用于中低功率的电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性，适用于负载开关、DC-DC 转换器、电池管理系统以及电机控制等应用。PDTC143ZQAZ 采用 TDFN 封装（双侧散热），有助于提高散热效率并减小 PCB 空间占用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：4.3A
最大漏源电压（VDS）：20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（典型值）
阈值电压（VGS(th)）：0.5V ~ 1.0V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TDFN
PDTC143ZQAZ 具备多项高性能特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）仅为 22mΩ，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式功率 MOSFET 工艺，提供更快的开关速度和更低的开关损耗，适用于高频开关应用。此外，其栅极驱动电压较低，支持 1.8V 至 4.5V 的宽范围驱动电压，兼容多种控制器和逻辑电平信号源。
该 MOSFET 的封装设计采用了双侧散热技术，有效提升了热性能，使得器件在高负载条件下仍能保持良好的稳定性。其 TDFN 封装尺寸小巧，适合高密度 PCB 设计，同时具备良好的机械稳定性和焊接可靠性。
在可靠性方面，PDTC143ZQAZ 符合 AEC-Q101 汽车级标准，适用于汽车电子系统，如车身控制模块、电动助力转向系统、车载充电器等应用场景。此外，该器件具备良好的抗静电能力和过温保护能力，确保在复杂工作环境下的稳定运行。
PDTC143ZQAZ 主要应用于各类电源管理系统和功率开关电路中。其典型应用包括同步整流器、负载开关、H 桥驱动器、DC-DC 升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）以及便携式电子设备的电源管理模块。此外，该器件也非常适用于汽车电子系统，如电动窗控制、LED 照明驱动、电动座椅调节系统等，提供高效、可靠的功率控制解决方案。
由于其低导通电阻和高速开关特性，PDTC143ZQAZ 还可用于电机驱动和电源逆变器电路，提高系统的整体能效。在工业自动化和智能家电中，该器件可作为主控开关或辅助电源控制元件，实现精确的功率调节和节能运行。
Si2302DS、FDMC8030、FDMS3610、NVTFS5C471NL、AO4406
