时间：2025/9/12 11:03:34
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KRC105S-RTK是一款由Kecert（科信半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高开关性能，适用于各种高效率、高功率密度的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5.8A（在25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大值0.18Ω（当Vgs=10V时）
功率耗散：2W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
KRC105S-RTK采用先进的沟槽式结构设计，提供了优异的导通性能和快速的开关速度，有助于减少功率损耗，提高系统的整体效率。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得在大电流工作条件下，MOSFET的发热更少，可靠性更高。
此外，该MOSFET具有较高的耐压能力，漏源电压可达到100V，适合用于中高功率的DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电源管理系统中。其±20V的栅源电压容限增强了器件在高频开关应用中的稳定性，避免因栅极过压导致的损坏。
TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和PCB布局。这种封装形式在保证性能的同时，也有助于节省PCB空间，提高产品设计的灵活性。
KRC105S-RTK适用于多种功率电子设备，包括但不限于：
? 开关电源（SMPS）
? DC-DC转换器
? 电机驱动电路
? 电池管理系统
? 负载开关与电源管理模块
? 工业控制系统
? LED照明驱动器
KRC105S-RTK的替代型号包括：2SK3896、SiSS10DN、IRLML6401、AO3400A
