TP131-00100是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该芯片具有低导通电阻和高耐压的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。其设计优化了开关性能,适合在高频应用场合下使用。
型号:TP131-00100
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源V
持续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
总功耗(Ptot):150W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
TP131-00100的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)仅为4mΩ),有效降低导通损耗。
2. 高速开关能力,支持高频工作环境。
3. 具备良好的热稳定性,可在极端温度条件下运行。
4. 内置ESD保护电路,提高了器件的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 耐浪涌能力强,适用于严苛的工作条件。
TP131-00100适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 各类电机驱动电路中的功率控制。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 电动汽车及新能源系统中的功率管理。
6. LED驱动器和照明控制系统。
TP120-00120
IRFZ44N
FDP5500
STP10NK60Z