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PDTA124TT,215 发布时间 时间:2025/9/14 2:39:05 查看 阅读:16

PDTA124TT,215 是一款由Nexperia(原飞利浦半导体部门)生产的双极性晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该器件采用SOT-23(TO-236AB)封装,适用于通用开关和放大应用。PDTA124TT,215的主要特点包括高电流增益、低饱和压降和良好的热稳定性,适合在中低功率电路中使用。

参数

类型:PNP型晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):-30V
  集电极-基极电压(VCBO):-30V
  发射极-基极电压(VEBO):-5V
  集电极电流(IC):-100mA
  功率耗散(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  电流增益(hFE):110-800(根据档位不同)
  封装类型:SOT-23

特性

PDTA124TT,215 是一款高性能的PNP型晶体管,具有多项优良特性。
  首先,其高电流增益(hFE)范围为110至800,根据不同的批次和测试条件分为多个等级,使其适用于各种放大和开关电路。由于其高增益特性,PDTA124TT,215可以在低基极电流条件下驱动较大的集电极电流,提高电路效率。
  其次,该晶体管具有较低的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)),通常在-100mA集电极电流下不超过-0.25V。这种低饱和压降特性有助于减少功率损耗,提高电路的能效,特别适用于电池供电设备和低功耗应用。
  此外,PDTA124TT,215的SOT-23封装具有良好的热稳定性和机械强度,适用于表面贴装工艺,便于自动化生产。其最大工作温度可达+150°C,具备较强的耐热能力,适合在高温环境下工作。
  该器件的电气特性在宽温度范围内保持稳定,适合用于工业级和汽车电子应用。其-30V的最大集电极-发射极电压(VCEO)和-30V的集电极-基极电压(VCBO)使其在中低电压电路中具有良好的可靠性。
  最后,PDTA124TT,215具有良好的频率响应特性,在适当的偏置条件下,其特征频率(fT)可达100MHz左右,适合用于中频放大电路。

应用

PDTA124TT,215广泛应用于各种电子电路中,适用于多个领域。
  在数字电路中,该晶体管常用于开关应用,例如逻辑电平转换、继电器驱动和LED控制。其低饱和压降和高电流增益使其成为理想的开关元件,可有效降低功耗并提高响应速度。
  在模拟电路中,PDTA124TT,215可用于音频放大器、电压调节器和信号缓冲器等应用。其良好的线性特性和宽频率响应使其适合用于中低频放大电路,如前置放大器和功率放大级的驱动电路。
  在电源管理电路中,该晶体管可以用于负载开关、电池充电控制和DC-DC转换器的辅助电路。其SOT-23封装体积小,便于在紧凑的PCB布局中使用。
  此外,PDTA124TT,215也常用于传感器接口电路,例如光敏传感器、温度传感器和压力传感器的信号放大和处理电路中。其稳定的电气特性和宽温度范围使其适合在工业自动化和汽车电子系统中使用。
  在汽车电子应用中,PDTA124TT,215可用于车载娱乐系统、车身控制模块、照明控制和电动机驱动电路,符合AEC-Q101汽车电子标准。

替代型号

BC807-25, 2N3906, PN2907A, KSP2907, MMBT2907

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PDTA124TT,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)22k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装剪切带 (CT)