NDB7061L 时间：2025/8/24 22:29:53 阅读：20

NDB7061L 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电流和高功率应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和高效的开关性能。NDB7061L 封装在 DPAK（TO-252）封装中，适用于各种工业、消费类和汽车电子应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 2.7mΩ @ VGS = 10V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

NDB7061L 具备出色的导通性能和高效的开关特性，适用于高功率密度设计。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在高电流负载下保持稳定的性能。
　　NDB7061L 的 DPAK 封装具备良好的热管理能力，适合表面贴装工艺，适用于自动化生产。
　　此外，该 MOSFET 支持高频率开关操作，使其在 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理系统中表现出色。
　　其栅极设计允许使用常见的 10V 驱动电压，兼容多种 MOSFET 驱动 IC 和控制器。
　　由于其高耐压和大电流能力，NDB7061L 在汽车电子系统中（如车载充电器、电动工具和电池管理系统）也有广泛应用。

应用

NDB7061L 主要用于以下应用场景：
　　1. DC-DC 转换器和同步整流器：由于其低 RDS(on) 和高电流能力，适合用于高效能电源转换系统。
　　2. 电机驱动和 H 桥电路：适用于需要高电流切换能力的电机控制应用。
　　3. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车和储能系统中的充放电控制。
　　4. 电源管理模块：如电源开关、负载开关和热插拔电路。
　　5. 工业自动化设备：如伺服驱动器、变频器和不间断电源（UPS）等。
　　6. 汽车电子：如车载逆变器、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器（OBC）等。