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10A02-T 发布时间 时间:2025/12/26 10:36:39 查看 阅读:6

10A02-T是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用双二极管共阴极配置,封装形式为SMA(DO-214AC)。该器件专为高效率、高频开关应用设计,广泛应用于电源整流、续流二极管、反向电压保护和DC-DC转换器等电路中。由于其低正向压降和快速开关特性,10A02-T在提高系统效率和减少热损耗方面表现出色。该二极管的最大平均整流电流可达10A,峰值重复反向电压为20V,适用于低压大电流的电源管理系统。其SMA封装具有良好的散热性能,并适合自动化贴片生产,满足现代电子产品对小型化和高可靠性的要求。此外,10A02-T符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保,适用于消费类电子、工业控制、通信设备和便携式电源等多种应用场景。

参数

类型:肖特基二极管
  配置:双共阴极
  最大重复反向电压(VRRM):20V
  最大直流阻断电压(VR):20V
  最大平均整流电流(IO):10A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):150A(8.3ms单半正弦波)
  最大正向电压(VF):0.52V @ 5A, 0.62V @ 10A(Tc=25°C)
  最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 20V(Tc=25°C)
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +125°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
  封装:SMA(DO-214AC)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

10A02-T的核心特性之一是其低正向导通压降,典型值在5A电流下仅为0.52V,在10A时为0.62V,显著低于传统PN结二极管。这种低VF特性意味着在大电流工作条件下功耗更低,减少了能量损耗并提升了整体电源效率。尤其在低压输出的开关电源或同步整流无法实现的应用中,该特性尤为重要。由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非P-N结,其载流子传输机制以多数载流子为主,因此几乎不存在少数载流子存储效应,从而实现了极快的反向恢复速度。虽然数据手册未明确列出反向恢复时间(trr),但典型的肖特基二极管trr小于10ns,使其非常适合高频开关环境,如DC-DC变换器、开关模式电源(SMPS)和脉冲整流电路。
  该器件采用双共阴极结构,两个独立的肖特基二极管共享一个阴极引脚,这种配置常用于全波整流或双路续流保护,简化了PCB布局并节省空间。10A02-T支持高达10A的连续平均整流电流,得益于其SMA封装良好的热传导设计,能够在适当散热条件下稳定运行。同时,其峰值浪涌电流可达150A,具备较强的瞬态过流承受能力,增强了系统在启动或负载突变情况下的可靠性。器件的工作结温范围为-65°C至+125°C,适用于较宽的工业级温度环境。此外,10A02-T通过AEC-Q101认证的可能性较高(需确认具体批次),表明其在汽车电子中的潜在适用性。产品符合RoHS指令,不含铅和镉等有害物质,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色制造需求。其机械尺寸紧凑(约4.5mm x 2.6mm x 2.2mm),便于在高密度PCB上进行自动化贴片组装,提升生产效率。

应用

10A02-T广泛应用于各类需要高效低压整流的电子系统中。在开关模式电源(SMPS)中,它常用作次级侧整流元件,特别是在输出电压为3.3V、5V或12V的低电压大电流电源中,其低正向压降可显著降低导通损耗,提升能效。在DC-DC转换器模块中,该器件可作为续流二极管(freewheeling diode)使用,有效防止电感反电动势损坏主开关管,同时加快能量释放过程,提高转换效率。在电池供电设备如笔记本电脑、移动电源和便携式仪器中,10A02-T可用于电源路径管理与反接保护,确保系统安全运行。此外,它也常见于逆变器、LED驱动电源和电机驱动电路中,承担续流和钳位功能。在汽车电子领域,该二极管可用于车载充电器、DC-DC变换器和车身控制系统中的电源整流环节。由于其表面贴装封装,特别适合自动化的批量生产,广泛应用于消费类电子产品如智能手机充电板、主板电源模块、USB PD电源适配器等。工业控制设备中的PLC电源单元、传感器供电模块以及通信基站的电源管理部分也常采用此类高性能肖特基二极管来保障系统的稳定性和效率。

替代型号

SB10U20SP5-13
  MBR1020
  SR10U20
  B10D20-13-F
  SS1020

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10A02-T参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)100V
  • 电流 - 平均整流 (Io)10A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 10A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 100V
  • 电容@ Vr, F150pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳R6,轴向
  • 供应商设备封装R-6
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称10A02-TDICT