时间：2025/7/23 11:35:03
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STH26N25 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流、高效率的功率开关应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于各种电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和负载开关等场景。STH26N25 采用 TO-220 封装形式，具有良好的散热性能和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：250V
最大漏极电流（Id）：26A（在 Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（最大，Vgs=10V）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
最大功耗（Ptot）：125W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220
STH26N25 是一款高性能功率 MOSFET，具有低导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（250V）使其适用于中高功率应用，如开关电源、逆变器、电机驱动器和工业控制系统。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定。
此外，该 MOSFET具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高响应速度。它还具有良好的热稳定性和过载能力，能够在严苛环境中可靠运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 4.5V 至 10V 之间工作，适用于多种驱动电路设计。
STH26N25 主要应用于需要高效率、高可靠性的功率开关场合。典型应用包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电机控制器、逆变器、LED 照明电源、电池管理系统和工业自动化设备中的负载开关等。其高电流和高电压特性也使其适用于电动车、太阳能逆变器和储能系统中的功率控制模块。
STP26NM50N, IRFZ44N, FDP26N25, FQP26N25
