时间：2025/7/2 13:44:27
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FN15N3R9C500PNG 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，专为需要高效能和低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，在确保高可靠性的前提下提供出色的开关性能和低功耗表现。它适用于多种电源管理场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。其封装形式为 PDFN5*6，具有小型化和良好的散热特性。
这款功率 MOSFET 的额定电压为 15V，能够承受较高的电流负载，并且在高频开关应用中表现出色。同时，其优化的 Rds(on) 参数有助于减少系统中的能量损耗。
最大漏源电压：15V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：0.4mΩ
栅极电荷：7nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：PDFN5*6
FN15N3R9C500PNG 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保高效的电力传输，降低热损耗。
2. 高速开关能力使其非常适合高频应用环境。
3. 提供强大的电流承载能力以适应大功率需求。
4. 具备优异的热稳定性和可靠性，支持极端温度下的正常运作。
5. 小型化的 PDFN5*6 封装有助于节省 PCB 空间并改善散热效率。
6. 内置静电保护功能提高了器件的鲁棒性。
FN15N3R9C500PNG 广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关和保护电路。
3. 各类电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
6. 通信设备中的电源管理和信号处理单元。
IRF15N3R9C500, FDP15N3R9C500
