DMG3404L-7 时间：2025/12/24 14:26:12 阅读：18

DMG3404L-7 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的 DFN2020-6 (SOT885) 封装，适合用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
　　DMG3404L-7 适用于消费类电子产品、通信设备及便携式电子设备中的负载开关、DC/DC 转换器、电池管理以及其他功率管理应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：DFN2020-6 (SOT885)
　　VDS（漏源极电压）：20V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值，@ VGS=4.5V）：4mΩ
　　VGS(th)（栅极阈值电压）：1.2V 至 2.5V
　　连续漏极电流 ID：4A
　　功耗 PD（最大值）：0.3W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装尺寸：2mm x 2mm

特性

DMG3404L-7 的主要特性如下：
　　1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
　　2. 小型化封装（DFN2020-6），节省 PCB 空间，非常适合空间受限的设计。
　　3. 快速开关能力，能够支持高频操作，减少开关损耗。
　　4. 较低的栅极电荷，提高了驱动效率。
　　5. 高可靠性设计，能够在宽温度范围内稳定运行。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅工艺。

应用

DMG3404L-7 可广泛应用于以下领域：
　　1. 负载开关：用于控制电源路径或实现快速断开功能。
　　2. DC/DC 转换器：作为功率开关使用，提升转换效率。
　　3. 电池管理系统：保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。
　　4. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等，其中对体积和能效要求较高。
　　5. 信号切换：在音频、视频等信号通道中实现高效切换。
　　6. 电机驱动：用于小型直流电机控制和其他功率调节应用。

替代型号

与 DMG3404L-7 性能类似的替代型号包括：
　　1. DMN2990UFCE-13：同为 Diodes 公司生产，具有相似的 RDS(on) 和封装形式。
　　2. AO3400A：Alpha & Omega Semiconductor 生产的 N 沟道 MOSFET，具备相近的电气参数。
　　3. BSS138：Nexperia 生产的小信号 MOSFET，适用于较低电流的应用。
　　4. FDN340P：Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道 MOSFET，适用于类似的电路环境。
　　选择替代型号时，请根据具体应用场景确认其电气特性和封装是否完全匹配。