时间：2025/9/15 4:30:15
阅读：6
PDTA114ET是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。这款晶体管专为高频率和高功率应用而设计，适用于射频（RF）放大、功率放大以及高频电路设计等领域。PDTA114ET采用TO-247封装形式，具有良好的热性能和高可靠性，适合用于工业和通信设备中的功率放大模块。
类型：NPN型晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：65V
最大集电极电流（IC）：2A
最大功率耗散（PD）：30W
频率响应（fT）：125MHz
封装类型：TO-247
PDTA114ET具备多项优良特性，使其适用于高性能射频和功率放大器应用。其最大集电极-发射极电压（VCEO）为65V，支持在较高电压条件下稳定运行，适用于多种电源配置的电路设计。该晶体管的最大集电极电流为2A，在持续运行条件下具备良好的电流承载能力。
此外，PDTA114ET的频率响应（fT）达到125MHz，能够在中高频范围内保持良好的放大性能，适合用于射频功率放大器等高频应用场合。其TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还有助于提升整体系统的热稳定性和可靠性，适用于长时间高负载运行的工业和通信设备。
该器件还具有低饱和电压、高增益以及优良的线性度，有助于提升放大器的效率和信号质量。这些特性使PDTA114ET成为射频功率放大器、音频功率放大器、开关电源和高频逆变器等应用中的理想选择。
PDTA114ET广泛应用于射频功率放大器、音频功率放大器、开关电源、高频逆变器以及各类工业和通信设备中的功率放大模块。其高频性能和良好的散热能力，使其在无线通信、广播发射机、测试设备和音频系统中具有广泛的使用场景。
MRF151G, BLF177, 2SC2879
