时间:2025/12/24 16:56:04
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AP9412BGM-HF是一款由Diodes公司生产的双通道、低电压、N沟道功率MOSFET,封装形式为TSSOP,常用于电源管理和负载开关应用。这款MOSFET设计用于在低导通电阻(RDS(ON))和高效能之间取得良好平衡,适合用于笔记本电脑、电源适配器、电池供电设备以及其他低电压高效率要求的应用场景。AP9412BGM-HF采用先进的沟槽技术,确保了在低栅极电压下依然能够实现较低的导通损耗。
类型:N沟道MOSFET
通道数:2
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID):6.2A(每通道)
导通电阻(RDS(ON)):12mΩ(最大值,@VGS=10V)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装:TSSOP
功率耗散:2.4W
输入电容:400pF(典型值)
AP9412BGM-HF具备多个关键特性,使其适用于多种电源管理应用。首先,其双通道设计可以在单一封装中提供两个独立的MOSFET,从而节省PCB空间并提高系统集成度。其次,该器件具有非常低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高整体效率,这对于电池供电设备尤为重要。
此外,AP9412BGM-HF支持高达6.2A的连续漏极电流,使得它能够处理相对高功率的负载。该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至20V的VGS电压,从而兼容多种驱动电路设计。
在热管理方面,AP9412BGM-HF的TSSOP封装具有良好的热性能,能够在高电流条件下保持稳定工作温度。其高雪崩能量能力也增强了器件在高应力工作环境下的可靠性。
该MOSFET具有良好的开关性能,可以实现快速的导通和关断,从而减少开关损耗,适用于高频开关应用。同时,AP9412BGM-HF符合RoHS标准,具备绿色环保特性,适合用于现代电子产品的设计。
AP9412BGM-HF广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。其典型应用包括负载开关、电源适配器、笔记本电脑电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统以及便携式电子设备中的功率控制电路。由于其双通道设计和低导通电阻特性,AP9412BGM-HF也非常适合用于需要高效能和紧凑设计的工业控制和通信设备中。
在服务器和存储设备中,AP9412BGM-HF可以作为热插拔控制器的功率开关,确保在不断电情况下安全地插入或移除硬件模块。此外,该器件还可用于电机驱动电路、LED照明控制以及各种需要高效能功率MOSFET的场合。
AP9412BGM-HF的替代型号包括AO4412、Si4412DY-T1-GE3和NVTFS4C03NLWFTAG。这些型号在电气特性和封装方面与AP9412BGM-HF相似,可以作为设计中的替代选择。在选择替代器件时,建议详细比对数据手册,确保在性能和应用要求上的一致性。