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PDTA113ET,215 发布时间 时间:2025/9/14 6:20:48 查看 阅读:4

PDTA113ET,215是一款由NXP Semiconductors生产的双极型晶体管(BJT),具体型号为PNP型晶体管。这款晶体管常用于需要高增益和低电流应用的电路设计中,具有良好的稳定性和可靠性。PDTA113ET,215采用SOT-23封装,适用于各种通用放大和开关应用。该器件的工作温度范围较宽,能够适应工业级温度环境。

参数

晶体管类型:PNP
  集电极-发射极电压(Vceo):50V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大功耗(Pd):300mW
  增益带宽积(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

PDTA113ET,215作为一款PNP型晶体管,具备出色的电气性能和稳定性,适用于各种通用放大和开关应用。其主要特性包括:
  首先,该晶体管的电流增益(hFE)范围较广,根据不同的等级划分,其增益可以达到110至800。这使得该晶体管在需要不同放大倍数的电路中具有良好的适应性,可以满足多样化的设计需求。
  其次,PDTA113ET,215的工作频率较高,其增益带宽积(fT)为100MHz,因此在中高频放大电路中表现良好。这种特性使得它适合用于射频(RF)和音频放大应用,同时也能够胜任高速开关操作。
  此外,该晶体管的封装形式为SOT-23,这是一种小型表面贴装封装,适合现代电子设备的紧凑设计。SOT-23封装不仅节省空间,而且便于自动化生产和焊接,提高了制造效率。
  最后,PDTA113ET,215的功耗较低,最大功耗为300mW,能够在低功耗设计中提供可靠的性能。这种低功耗特性使得它在便携式设备和电池供电系统中具有优势。

应用

PDTA113ET,215广泛应用于需要高增益和低电流放大的电路设计中,包括:
  1. 通用放大器:由于其较高的电流增益和频率响应,PDTA113ET,215适用于音频放大器、信号放大器和传感器接口电路。
  2. 开关电路:该晶体管可用于低功率开关应用,如继电器驱动、LED控制和电机控制电路。
  3. 电源管理:PDTA113ET,215的低功耗特性和高可靠性使其适合用于电源管理电路,例如稳压器和DC-DC转换器中的控制部分。
  4. 通信设备:在无线通信设备和有线通信系统中,PDTA113ET,215可以用于信号处理和放大,满足中高频电路的需求。
  5. 工业控制:由于其宽工作温度范围和高稳定性,PDTA113ET,215适用于工业自动化和控制系统中的传感器信号放大和处理。

替代型号

BC807, 2N3906, MMBT3906, PN2907

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PDTA113ET,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)1k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)1k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 40mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 1.5mA,30mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934058259215PDTA113ET T/RPDTA113ET T/R-ND