时间：2025/8/5 22:49:09
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IXTA140N12T2是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、高电压应用设计。该器件采用TO-263（D2PAK）封装，适用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大漏极电流(Id)：140A
最大功耗(Pd)：300W
栅极阈值电压(Vgs(th))：4.5V ~ 6.5V
导通电阻(Rds(on))：约0.018Ω
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
IXTA140N12T2具备极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流应用中功耗显著降低，提高了整体系统效率。
该器件的最大漏源电压为1200V，使其适用于高电压应用，如工业电源、电机驱动和太阳能逆变器等。
该MOSFET的高电流承载能力（高达140A）和出色的热性能，使其在高温环境下仍能保持稳定工作。
此外，TO-263（D2PAK）封装设计提供了良好的散热性能，并且易于安装在PCB上，适用于表面贴装工艺。
其栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至20V之间，适合多种驱动电路配置。
IXTA140N12T2还具备良好的抗雪崩能力，提高了在高能脉冲条件下的可靠性。
IXTA140N12T2广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于工业电源、不间断电源（UPS）、电动车辆充电系统、光伏逆变器、电机控制和高功率DC-DC转换器。
在电机驱动应用中，该MOSFET可作为主开关元件，提供高效的功率控制。
在太阳能逆变器中，它可用于将直流电转换为交流电，支持高效能源转换。
此外，该器件也适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路。
由于其高可靠性和优异的热性能，IXTA140N12T2也可用于严苛环境下的工业控制设备。
IXFH140N12T2, IXTH140N12T2
