CMPA0060002D 时间：2025/9/11 7:46:58 阅读：25

CMPA0060002D 是一款由 Cree（科锐）公司制造的高性能碳化硅（SiC）功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件基于先进的碳化硅技术，具有高击穿电压、低导通电阻和优异的热管理性能，适用于需要高效能和高可靠性的功率转换系统。

参数

类型：碳化硅 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　漏极电流（ID）：120A（Tc=100℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：2.0mΩ
　　栅极电荷（Qg）：75nC
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装类型：TO-247

特性

CMPA0060002D 具备出色的导通和开关性能，主要归功于其采用的碳化硅材料技术。与传统的硅基MOSFET相比，该器件在高频应用中表现出更低的开关损耗，有助于提高系统效率并减少散热需求。此外，该器件的高击穿电压能力（600V）使其在高功率密度和高工作温度环境下依然保持稳定运行。其低导通电阻（2.0mΩ）有效降低了导通损耗，同时其较低的栅极电荷（Qg）值提升了开关速度，从而进一步优化了整体性能。
　　另一个显著优势是该器件具备良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下工作而不会影响其电气特性。这使得 CMPA0060002D 在诸如电动汽车充电器、太阳能逆变器、服务器电源以及工业电机驱动等高功率应用场景中表现出色。同时，其 TO-247 封装设计便于安装和散热，有助于提升系统的整体可靠性和耐用性。

应用

CMPA0060002D 主要应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中，包括但不限于：电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、太阳能逆变器、储能系统、工业电源、服务器电源、不间断电源（UPS）以及电机驱动器等。其优异的电气特性和热性能使其成为传统硅基功率器件的理想替代品，尤其是在高频率、高温度和高可靠性要求的应用中。