时间：2025/12/25 17:18:11
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SLA3509F是一款由Slicetech（矽力杰）推出的高集成度、高性能的交流-直流（AC-DC）离线式电流模式PWM控制器，专为反激式转换器拓扑设计。该芯片广泛应用于低待机功耗、高效率要求的电源适配器、充电器及各类消费类电子设备的辅助电源系统中。SLA3509F集成了多种智能控制技术与保护机制，能够在宽输入电压范围内稳定工作，并实现极低的空载功耗，满足国际能效标准如DoE Level VI和EU CoC Tier 2的要求。其内置高压启动电路可实现快速启动，同时采用准谐振（Quasi-Resonant, QR）控制模式，在MOSFET漏源电压处于谷底时导通，显著降低开关损耗，提升整体转换效率。此外，芯片具备频率抖动功能，有效抑制电磁干扰（EMI），从而减少外部滤波元件的需求，有助于缩小电源体积并降低成本。SLA3509F还集成了全面的保护功能，包括过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）以及前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）等，确保系统在各种异常条件下安全可靠运行。该器件采用紧凑型封装，便于PCB布局，并支持自动恢复或锁存模式的故障处理策略，适用于对可靠性与成本敏感的应用场景。
工作输入电压范围：85VAC ~ 265VAC
启动电流：典型值1.5μA
工作电流：典型值2.8mA
最大占空比：约80%
振荡器频率范围：典型35kHz ~ 65kHz（带频率抖动）
控制模式：电流模式PWM + 准谐振（QR）控制
启动方式：高压自供电启动
保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）、前沿消宾（LEB）
封装形式：SOP-8
集成MOSFET：无（外驱NMOS）
SLA3509F采用先进的准谐振（Quasi-Resonant, QR）控制技术，能够智能检测功率MOSFET的漏源电压波形，并在其谷底点进行导通操作，从而实现零电压开关（ZVS）或接近ZVS的工作状态，大幅降低开关管的开通损耗，提高电源系统的整体转换效率，尤其在中低负载条件下表现优异。这种谷底开关机制不仅提升了能效，还减少了热应力，延长了器件寿命。该芯片内置高压启动单元，可在上电后直接从整流母线电压通过内部高压电流源为VDD电容充电，无需额外的启动电阻网络，加快启动速度的同时降低了待机功耗。一旦系统正常运行，VDD由辅助绕组供电，进一步优化能量利用。
为了满足严格的能效法规要求，SLA3509F引入了多模式控制策略，包括满载下的准谐振模式、中等负载时的脉冲宽度调制（PWM）模式以及轻载和空载时的突发模式（Burst Mode）。在突发模式下，控制器以极低的开关频率间歇工作，仅在输出电压下降至设定阈值时才短暂激活，其余时间进入深度休眠状态，使得空载输入功率可低至30mW以下，轻松满足DoE Level VI标准。此外，芯片具备频率抖动（Frequency Shuffling）功能，将开关频率在一定范围内随机调制，分散能量频谱，有效抑制传导和辐射EMI噪声峰值，从而减少对外部EMI滤波器的设计要求，有助于简化电路设计并降低BOM成本。
SLA3509F集成了全面的保护机制以保障系统安全性与稳定性。过载保护（OLP）可通过变压器辅助绕组反馈实现精确的输出功率限制；过压保护（OVP）防止因反馈回路失效导致输出电压失控；欠压锁定（UVLO）确保芯片在电源电压未达到稳定工作范围前不误动作；过温保护（OTP）则在芯片温度过高时自动切断输出，支持自动恢复或锁存模式。前沿消隐电路可有效滤除电流采样信号中的尖峰干扰，避免误触发限流保护。这些特性共同构成了一个高可靠性、高集成度的电源解决方案，适用于多种中小功率离线式电源应用。
SLA3509F广泛应用于多种需要高效、低待机功耗AC-DC电源转换的场合，典型应用场景包括手机、平板电脑、笔记本电脑的电源适配器与充电器；智能家居设备如路由器、摄像头、智能音箱的内置电源模块；家用电器中的辅助电源（如电视、空调控制板供电）；工业控制设备的小功率隔离电源；以及LED照明驱动电源等。由于其出色的能效表现和良好的EMI兼容性，特别适合出口型产品以满足欧美市场的严格环保与安规认证要求。
SLA3507F
SLA3508F
OB2283
LNK626PG
