QMV418GT5 是一款由Qorvo公司生产的高性能射频(RF)晶体管,主要用于射频功率放大器应用。该晶体管基于硅双极型晶体管(Si BJT)技术,具备较高的功率增益和效率,适用于工作频率范围较宽的无线通信系统。QMV418GT5采用紧凑型表面贴装封装(SOT-89),便于集成在各种射频模块和电路中。
类型:射频功率晶体管
工艺技术:硅双极型晶体管(Si BJT)
最大集电极电流:100 mA
最大集电极-发射极电压:15 V
最大发射极-基极电压:3 V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
频率范围:DC 至 1 GHz
增益:典型值20 dB(@ 450 MHz)
输出功率:典型值18 dBm(@ 450 MHz)
封装类型:SOT-89
QMV418GT5具备优异的射频性能,适用于中等功率的射频放大器设计。其主要特性包括高增益、低失真以及良好的线性度,这使得它非常适合用于要求较高的通信系统中,如蜂窝基站、无线基础设施、测试设备和工业控制系统等。此外,该器件在1 GHz以下的频率范围内表现出良好的稳定性和一致性,能够在较宽的温度范围内正常工作。由于采用SOT-89封装,QMV418GT5具有良好的热稳定性和机械强度,同时易于进行自动化装配和焊接。
QMV418GT5的输入和输出阻抗匹配良好,能够有效减少外部匹配元件的数量,从而简化电路设计并降低整体成本。其高线性度特性使其在多载波和宽带应用中表现优异,减少了信号失真和互调干扰。此外,该晶体管具备较低的噪声系数,适合用于前置放大器或需要高信噪比的电路设计。
这款晶体管还具有较高的可靠性,在长时间运行和恶劣环境下依然保持稳定性能。Qorvo作为射频领域的领先厂商,确保了QMV418GT5在制造工艺和质量控制方面的高标准,适用于各种工业和通信应用。
QMV418GT5广泛应用于无线通信系统中的射频功率放大器设计。具体应用包括蜂窝基站、无线局域网(WLAN)设备、工业控制模块、测试和测量仪器、射频传感器网络以及各种射频前端模块。由于其优异的线性度和低失真特性,该晶体管也适用于需要高质量信号放大的音频和射频系统。此外,QMV418GT5在广播和电视发射设备、医疗成像设备以及航空航天电子系统中也有广泛应用。
QMV418GTR13、QMV418GTR12、QMV418GT5R13、QMV418GT5R12、QMV418GTR1