IXFX120N65X2是一款由IXYS公司生产的高功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源系统中。该MOSFET具有较高的电流处理能力和较低的导通电阻,适用于诸如电源转换器、电动机控制以及工业自动化设备等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):120A
最大漏源电压(VDS):650V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):0.085Ω
封装类型:TO-247
IXFX120N65X2 MOSFET拥有低导通电阻特性,有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,它还具备快速开关特性,使得在高频开关应用中表现优异。该器件的封装设计有助于良好的热管理,确保在高功率操作下的稳定性。
这款MOSFET还具有高雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过载条件下提供额外的安全裕度,增强系统的可靠性。栅极设计优化,降低了驱动损耗,同时提高了抗干扰能力。
IXFX120N65X2常用于高功率电源供应器、DC-AC逆变器、电动机驱动器以及各种工业控制设备中。其高效的能效和稳定的性能使其成为工业自动化、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、以及高功率LED照明系统的理想选择。
IXFH120N65X2, IRFP4668, SiHPX120N65E