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IXFX120N65X2 发布时间 时间:2025/8/6 9:32:33 查看 阅读:11

IXFX120N65X2是一款由IXYS公司生产的高功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源系统中。该MOSFET具有较高的电流处理能力和较低的导通电阻,适用于诸如电源转换器、电动机控制以及工业自动化设备等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):120A
  最大漏源电压(VDS):650V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):0.085Ω
  封装类型:TO-247

特性

IXFX120N65X2 MOSFET拥有低导通电阻特性,有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,它还具备快速开关特性,使得在高频开关应用中表现优异。该器件的封装设计有助于良好的热管理,确保在高功率操作下的稳定性。
  这款MOSFET还具有高雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过载条件下提供额外的安全裕度,增强系统的可靠性。栅极设计优化,降低了驱动损耗,同时提高了抗干扰能力。

应用

IXFX120N65X2常用于高功率电源供应器、DC-AC逆变器、电动机驱动器以及各种工业控制设备中。其高效的能效和稳定的性能使其成为工业自动化、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、以及高功率LED照明系统的理想选择。

替代型号

IXFH120N65X2, IRFP4668, SiHPX120N65E

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IXFX120N65X2参数

  • 现有数量244现货
  • 价格1 : ¥197.63000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)24 毫欧 @ 60A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)225 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)15500 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1250W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PLUS247?-3
  • 封装/外壳TO-247-3 变式