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QM25005ATR13-5K 发布时间 时间:2025/5/15 15:28:42 查看 阅读:19

QM25005ATR13-5K 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,专为高频率、高效率的应用场景设计。该器件采用先进的 GaN 工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、LED 驱动器以及高频逆变器等领域。
  该型号中的“5K”通常表示其额定电流或电压范围的具体参数值,适用于工业级或汽车级应用环境,能够承受较宽的工作温度范围以及更高的电磁干扰要求。

参数

类型:GaN 功率晶体管
  封装:TO-263 (D2PAK)
  额定电压:650V
  额定电流:5A
  导通电阻:13mΩ
  最大工作温度:-40°C 至 +150°C
  栅极驱动电压:6V/10V
  开关频率:支持高达 5MHz
  封装尺寸:7.8mm x 6.5mm x 1.2mm

特性

QM25005ATR13-5K 的主要特性包括:
  1. 采用氮化镓技术,提供卓越的高频性能和效率优化。
  2. 极低的导通电阻(13mΩ),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  3. 支持高达 5MHz 的开关频率,使设计者能够使用更小的磁性元件,从而减小整体解决方案的尺寸。
  4. 内置 ESD 保护功能,增强芯片在严苛环境下的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,并满足 AEC-Q101 汽车级认证要求,确保其在恶劣条件下的稳定性。
  6. 可直接替代传统的硅基 MOSFET,在高频应用场景中显著提升性能。

应用

QM25005ATR13-5K 主要应用于以下领域:
  1. 高效 DC-DC 转换器:用于服务器、通信设备和消费类电子产品的供电模块。
  2. 快速充电器:支持 USB-PD 协议的充电器设计,提供更快的充电速度和更高的效率。
  3. LED 驱动器:用于高亮度 LED 照明系统的驱动电路,实现精确的电流控制。
  4. 无线电源:用于高频无线充电模块,支持更高功率的传输需求。
  5. 工业自动化:如电机驱动和逆变器应用,提升功率密度和效率。

替代型号

QM25005BTR13-5K, IRG4PH48UPBF, FDP15AH065ZP

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