时间：2025/8/14 17:50:40
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BAT54TB6_R1_00001 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的双通道双极型晶体管（BJT）阵列器件。这款晶体管阵列集成了两个独立的NPN晶体管，封装在小型的TSMT6封装中，适用于高密度PCB布局和高频应用。该器件广泛用于开关电路、信号放大、逻辑电平转换以及各种便携式电子设备中。
晶体管类型：NPN
集电极-发射极电压（Vceo）：100V
集电极-基极电压（Vcbo）：100V
发射极-基极电压（Vebo）：5V
集电极电流（Ic）：100mA
功率耗散（Ptot）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
BAT54TB6_R1_00001 是一款高性能的双NPN晶体管阵列，具有优异的电气特性和稳定性。每个晶体管均具备100V的集电极-发射极击穿电压和100mA的集电极电流能力，适用于多种中低功率应用。该器件的封装形式为TSMT6，是一种表面贴装的小型封装，能够有效节省电路板空间并便于自动化生产。
此外，BAT54TB6_R1_00001 具有良好的热稳定性和可靠性，在-55°C至+150°C的温度范围内保持稳定的性能。其最大功耗为200mW，适用于便携式设备、通信模块、消费类电子产品和工业控制系统等应用场景。由于其两个晶体管是独立的，因此可以灵活用于多级放大、逻辑控制、信号切换等电路设计中，提供高效可靠的解决方案。
BAT54TB6_R1_00001 主要用于需要高集成度和小尺寸设计的电子系统中。其典型应用包括信号放大器、逻辑电平转换电路、LED驱动电路、继电器驱动器、传感器接口电路、低功率开关电路以及各种便携式电子设备中的控制和放大电路。由于其高频特性和良好的稳定性，该器件也常用于无线通信模块和射频前端电路中。
2N3904, BC847, MMBT3904
