NCE40H20是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率放大等应用。它属于N沟道增强型器件,具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,适合于各种电源管理、电机驱动以及负载切换场景。
该器件采用TO-220封装形式,能够有效降低热阻并提升散热性能。由于其出色的电气特性和可靠性,NCE40H20被广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:20A
导通电阻:15mΩ
栅极电荷:35nC
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻确保了高效率的能量转换,减少了功率损耗。
2. 高电流处理能力使其能够适应多种复杂的应用环境。
3. 快速开关速度降低了开关损耗,并提升了系统整体性能。
4. 优异的热稳定性和耐热冲击能力保证了长时间运行的可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. TO-220封装便于安装和散热,适合表面贴装或通孔焊接工艺。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流/直流转换器中的同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级组件。
4. 负载切换与保护电路中的开关元件。
5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
IRFZ44N
STP20NF06
FDP22N20