产品系列：InnoSwitch?3
　　拓扑结构：反激式
　　输入电压范围：85 VAC 至 265 VAC
　　输出功率能力：最高可达15 W
　　开关频率：约100 kHz
　　集成开关器件：GaN FET
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：PDIP-12C
　　隔离耐压：750 VAC（加强绝缘）
　　控制器类型：初级侧PWM控制器
　　反馈机制：FluxLink?数字通信（无光耦）
　　效率等级：满足Energy Star、DoE Level VI等能效标准
　　安全认证：符合IEC 60950-1/IEC 62368-1安全规范
　　待机功耗：<30 mW
　　集成保护功能：OVP, OCP, OTP, SCP

PCDR1265MT150的核心优势在于其采用了Power Integrations独有的PowiGaN?技术，即将高压氮化镓（GaN）功率晶体管集成于控制器芯片内部。与传统硅基MOSFET相比，GaN器件具有更低的导通电阻和开关损耗，使得电源系统能够在更高频率下高效运行，同时减少热量产生。这不仅提升了整体转换效率（通常可超过90%），还允许使用更小的磁性元件和电容，从而缩小电源体积，特别适合空间受限的应用场景。由于GaN器件的优异热性能，即使在高负载或高温环境下，也能保持稳定的性能输出，延长产品寿命。
　　InnoSwitch?3架构通过FluxLink?技术实现了初级与次级之间的高速、高可靠性数字信号传输。这种无光耦反馈方式避免了传统光耦因老化而导致的性能衰减问题，提供了更加精准的电压和电流调节能力，并增强了系统的长期稳定性。此外，该技术还支持精确的恒压（CV）和恒流（CC）控制，适用于充电器、适配器等对输出精度要求较高的场合。
　　芯片内部集成了完整的保护机制，涵盖输出过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、过温保护（OTP）以及短路保护（SCP）。这些保护功能均通过多点检测和智能判断逻辑实现，能够在故障发生时迅速响应并切断输出，防止损坏后端电路或引发安全隐患。同时，器件具备自动恢复模式，在排除故障后可恢复正常工作，提升用户体验。
　　PCDR1265MT150的设计极大简化了电源开发流程。工程师无需复杂的环路补偿设计，也不必外接光耦和基准电压源，显著降低了设计难度和调试时间。其高度集成的架构减少了外围元件数量，提高了生产良率并降低了整体制造成本。此外，该器件支持宽输入电压范围，适用于全球通用输入应用，无需额外的电压选择开关或复杂前级电路。

PCDR1265MT150广泛应用于各类低功率AC-DC电源转换场景，尤其是在对能效、尺寸和可靠性有较高要求的产品中表现出色。典型应用包括墙插式USB充电器（特别是单口或多口快充适配器）、智能家居网关、Wi-Fi路由器、IP摄像头、智能音箱和语音助手设备的内置电源模块。由于其出色的待机功耗表现（低于30mW），非常契合能源之星（Energy Star）和欧盟生态设计指令（ErP Lot 6 / DoE Level VI）等严格的节能标准，适合用于待机时间长的消费类电子产品。
　　在工业领域，该芯片可用于PLC模块、传感器供电单元、远程I/O接口和小型继电器驱动电源，提供稳定可靠的隔离电源解决方案。其加强绝缘能力和宽温工作范围使其能在恶劣工业环境中稳定运行。此外，由于具备良好的电磁兼容性（EMC）表现，PCDR1265MT150也适用于医疗辅助设备中的低压供电部分，如便携式监测仪、家用呼吸机电源等，满足基本的安全隔离要求。
　　对于物联网（IoT）设备制造商而言，该芯片的小型化设计和高集成度有助于实现紧凑型终端产品的电源布局，例如智能门锁、环境监测节点、无线通信模块等。其无需光耦的设计不仅提高了系统寿命，也降低了维护成本，非常适合部署在难以维修的远端位置。同时，精确的恒压/恒流输出特性使其也可用于LED照明驱动电源，尤其是低功率面板灯、装饰灯带或橱柜灯等应用，提供稳定亮度且无频闪的照明体验。

INN3265CQ-TL