IR3P42 时间：2025/8/28 14:24:33 阅读：15

IR3P42是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热性能。IR3P42适用于多种电源管理场景，包括DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及工业自动化系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃
　　封装形式：PowerPAK SO-8双封装

特性

IR3P42采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了极低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力和优异的热管理性能，使其在高功率密度应用中表现出色。
　　该器件的栅极设计优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，IR3P42具有良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。
　　在封装方面，PowerPAK SO-8双封装提供了优异的热传导性能，有助于快速散热，确保器件在高负载条件下的稳定运行。其小型化封装设计也有助于节省PCB空间，适用于紧凑型电源设计。
　　IR3P42还具备高抗干扰能力，能够在恶劣的电磁环境中保持稳定工作，适用于汽车电子、工业控制等对可靠性要求较高的场合。

应用

IR3P42广泛应用于电源管理系统，包括同步整流器、DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等电路中。其优异的性能使其成为高性能电源设计的理想选择，尤其适用于需要高效率和高可靠性的场合。
　　在汽车电子领域，IR3P42可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等应用。在工业自动化和电机控制领域，该器件可用于高性能逆变器、伺服驱动器和电源管理系统。
　　此外，IR3P42也可用于高性能计算设备、服务器电源、电池管理系统（BMS）等对电源效率和可靠性有较高要求的应用场景。