类型：光耦合器
　　输出类型：晶体管输出
　　隔离电压：5000 Vrms
　　正向电流：50 mA
　　集电极-发射极电压（Vce）：35 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：DIP-4
　　响应时间：约18 μs
　　电流传输比（CTR）：50% 至 600%（取决于具体型号后缀）

EL817S1(B)(TU)-G具有优异的电气隔离性能，其隔离电压高达5000 Vrms，确保了在高压环境下的安全运行。该器件的LED与光电晶体管之间的耦合效率高，具有较宽的电流传输比（CTR）范围，通常在50%至600%之间，这使得它适用于多种电路设计需求。由于采用了高稳定性的材料和封装技术，EL817S1(B)(TU)-G具有较长的使用寿命和良好的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的温度范围内可靠工作。此外，其DIP-4封装形式便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接，适用于自动化生产和手工焊接。
　　该光耦还具备良好的抗干扰能力，能够在存在电磁干扰的工业环境中稳定工作。响应时间约为18 μs，适合用于中速信号隔离应用。EL817S1(B)(TU)-G的正向电流最大可达50 mA，集电极-发射极电压为35 V，能够驱动多种类型的负载。该器件还具有较低的功耗，适用于节能型电子产品设计。

EL817S1(B)(TU)-G主要用于需要电气隔离的场合，例如开关电源、变频器、PLC（可编程逻辑控制器）、工业自动化设备、测量仪器、通信设备以及家电控制系统等。在开关电源中，EL817S1(B)(TU)-G可用于反馈控制电路，将输出电压或电流信号隔离传输到初级侧的控制芯片，从而实现输出的稳定调节。在PLC系统中，它可以作为输入/输出模块的隔离元件，确保控制器与外部设备之间的电气安全。此外，该光耦也常用于电机驱动电路、继电器驱动电路以及各类传感器信号隔离处理电路中。

PC817、TLP521、HCNR200、LTV-817