类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110mA
　　导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　功率耗散（Pd）：300mW

2N7002TB-R1 MOSFET具有多项实用特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）使其在导通状态下能够有效降低功耗，提高系统效率。其次，该器件具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，有助于提高电路响应速度并减小外围元件的尺寸。
　　此外，2N7002TB-R1具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作，增强了其在恶劣环境中的可靠性。其SOT-23封装形式小巧，适合用于空间受限的电路设计，同时也便于自动化装配。
　　栅极驱动电压范围较宽，允许使用常见的5V或12V电源进行控制，适用于多种数字控制电路。同时，该MOSFET具备一定的过载能力，可在短时间内承受较高的电流负载。

2N7002TB-R1 MOSFET常用于各类电子设备中，特别是在需要低功耗和高开关频率的场合。其典型应用包括电源管理电路中的负载开关、LED驱动电路、继电器驱动、逻辑电平转换以及各种小型电机控制电路。
　　在数字电路中，该器件常用于实现MOS逻辑门的输出级，也可用于H桥驱动电路中的低端开关。此外，由于其良好的热稳定性和封装紧凑，该MOSFET也广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源开关和信号控制电路。
　　在工业控制领域，2N7002TB-R1可用于PLC输入输出模块、传感器信号调理电路以及小型继电器的驱动电路，为系统提供可靠的开关控制。

2N7002K-T/R, BSS138, 2N7000, FDN337N, FDV301N