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PC28F512G18AE 发布时间 时间:2025/12/27 3:28:42 查看 阅读:8

PC28F512G18AE是英特尔(Intel)推出的一款高性能、大容量的NOR闪存芯片,属于其专业的嵌入式存储产品线。该芯片采用先进的浮栅技术制造,具备高可靠性和稳定性,广泛应用于对数据完整性和系统启动性能有严格要求的工业、通信和汽车电子领域。作为一款512吉比特(Gb)容量的并行接口NOR Flash器件,PC28F512G18AE支持x16位宽的数据总线操作,适用于需要快速代码执行和直接处理器访问的应用场景。该器件设计用于满足严苛环境下的长期运行需求,具备出色的耐久性和数据保持能力,典型擦写寿命可达10万次以上,数据保存时间超过20年。PC28F512G18AE还集成了多种内部管理功能,如坏块管理和错误校验机制,从而提升了整体系统的可靠性与稳定性。此外,该芯片支持分块架构,允许对存储区域进行独立擦除和编程操作,便于实现固件更新、参数存储和日志记录等功能。由于其高密度、高性能和高可靠性的特点,PC28F512G18AE常被用于路由器、交换机、基站控制器、工业PLC、车载信息娱乐系统以及医疗设备等关键系统中。随着半导体市场的演变,英特尔已将其NOR Flash业务转移至SK海力士旗下,因此该型号目前可能处于停产或逐步淘汰状态,但在现有设备维护和替代方案设计中仍具有重要参考价值。

参数

品牌:Intel
  类型:NOR Flash
  容量:512 Gb
  接口类型:并行
  电压:2.7V ~ 3.6V
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  封装形式:TSOP-90
  组织结构:32Mb x16 banks
  读取速度:最高120MHz
  编程时间:典型值1.5ms/sector
  擦除时间:典型值30ms/sector
  待机电流:≤15μA
  编程电压:内部电荷泵生成
  数据保持期:>20年
  擦写次数:≥100,000次

特性

PC28F512G18AE具备多项先进特性,使其在嵌入式非易失性存储领域中表现出色。首先,该芯片采用了多银行(Multi-Bank)架构设计,每个银行可独立进行读取、编程和擦除操作,从而实现真正的后台操作(Background Operation),即在一个银行执行写入或擦除的同时,另一个银行可以继续响应读取请求,极大提升了系统效率和实时响应能力。这种并发操作模式特别适合需要持续运行且频繁更新固件或配置参数的工业控制系统。
  其次,该器件内置了智能写入保护机制,包括软件控制的块锁定功能和硬件写保护引脚(WP#),有效防止因意外断电或误操作导致的关键数据丢失或损坏。此外,它支持高级电源管理功能,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的续航时间,同时在上电/掉电过程中具备自动保护逻辑,确保不会发生部分编程或不完整擦除的情况。
  再者,PC28F512G18AE集成了ECC(错误检查与纠正)电路,能够在编程和读取过程中检测并修正单比特错误,显著提高数据完整性。对于多比特错误,芯片还能提供错误标志输出,便于系统采取相应容错措施。其地址和数据总线采用CMOS兼容电平,易于与多种微控制器和DSP处理器直接连接,无需额外电平转换电路。
  最后,该芯片符合工业级温度范围要求(-40°C至+85°C),并通过了严格的ESD防护测试和可靠性验证,确保在恶劣环境下长期稳定运行。尽管该型号目前已不再主推,但其成熟的设计和经过验证的性能使其仍在许多存量设备中广泛使用,并成为评估新型NOR Flash替代品的重要基准。

应用

PC28F512G18AE主要应用于对可靠性、稳定性和启动性能要求极高的嵌入式系统中。在通信基础设施领域,该芯片常用于路由器、交换机和无线基站的主控板中,用于存储引导代码(Boot Code)、操作系统映像和网络配置参数,因其支持XIP(eXecute In Place)功能,处理器可直接从Flash中执行指令,无需将代码加载到RAM,从而加快启动速度并节省内存资源。
  在工业自动化方面,该器件被广泛集成于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)终端和远程I/O模块中,用于保存用户程序、设备配置和运行日志。其高耐久性和长期数据保持能力确保即使在频繁更新或长时间断电的情况下也能安全保留关键信息。
  在汽车电子领域,PC28F512G18AE可用于车载信息娱乐系统(IVI)、仪表集群和ADAS(高级驾驶辅助系统)控制单元中,承担固件存储和参数备份任务。虽然车规级版本需通过AEC-Q100认证,但该型号的工业级版本已在部分非核心系统中得到应用。
  此外,在医疗设备、航空航天和测试测量仪器中,该芯片也因其高可信度而被选用,用于存储校准数据、诊断程序和设备序列号等敏感信息。总之,凡是需要“开机即用”、高可靠性和长期供货保障的场景,PC28F512G18AE都曾是一个值得信赖的选择。

替代型号

MT28EW01GABA1LWS-0SIT
  S29GL512S11TF1040
  S29GL512S10TF1040
  IS26KL512S-JBLL

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PC28F512G18AE参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列StrataFlash?
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页96ns
  • 访问时间96 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 2V
  • 工作温度-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-TBGA
  • 供应商器件封装64-EasyBGA(8x10)