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GRT0335C1H150JA02D 发布时间 时间:2025/7/1 7:49:47 查看 阅读:10

GRT0335C1H150JA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片,属于沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的制造工艺,在高频开关应用中表现出优异的性能。
  这款MOSFET具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等场景。其封装形式和电气特性使其成为高效率功率转换的理想选择。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:80nC
  开关频率:1MHz
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-247

特性

GRT0335C1H150JA02D的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低功率损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 强大的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  4. 高击穿电压,确保在高压系统中的安全性。
  5. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型电路板中。
  6. 具备出色的抗电磁干扰能力,适用于复杂电磁环境下的设备。
  这些特性使得该MOSFET在现代电子设备中具有广泛的适用性,特别是在需要高效能和高稳定性的场合。

应用

GRT0335C1H150JA02D主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和AC-DC适配器。
  2. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的电机控制。
  3. 工业自动化设备中的伺服驱动。
  4. 太阳能逆变器和储能系统。
  5. 数据中心服务器的电源管理模块。
  6. 各类消费类电子产品中的负载切换。
  由于其卓越的性能和可靠性,这款MOSFET成为了许多高要求应用场景中的首选解决方案。

替代型号

GRT0335C1H150JB02D, GRT0335C1H150JC02D

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GRT0335C1H150JA02D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格30,000 : ¥0.02594卷带(TR)
  • 系列GRT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容15 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-