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AO4886 发布时间 时间:2025/4/27 18:20:58 查看 阅读:10

AO4886 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺技术制造,适用于高频开关和低功耗应用。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的应用场景,同时具备较低的导通电阻以减少功率损耗。
  AO4886 的额定电压为 30V,适合在中低压环境下工作,例如消费电子、通信设备以及便携式电子产品等。其优异的性能参数和可靠性使得 AO4886 成为众多设计工程师的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷:9nC
  总电容:720pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

AO4886 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 高速开关能力,能够支持高频工作条件下的高效转换。
  3. 小巧的封装形式(如 DPAK 或 SO-8),节省 PCB 空间。
  4. 较低的栅极电荷,减少了驱动损耗。
  5. 良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内保持一致的性能表现。

应用

AO4886 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 电池保护及负载切换电路。
  5. 各类消费类电子产品的功率管理模块。
  由于其低导通电阻和快速开关特性,AO4886 特别适合需要高效率和小尺寸解决方案的设计。

替代型号

AO4888, IRF3710, FDP16N03L

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AO4886参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列*
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.7V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds942pF @ 50V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)