时间：2025/7/5 4:26:07
阅读：16
CL31A226MPHNNNE 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率开关晶体管，主要应用于高频电源转换、快速充电器、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该器件采用先进的封装工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并减小整体尺寸。
CL31A226MPHNNNE 的设计旨在满足现代电子设备对高能效和小型化的需求，其出色的性能使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代方案。
类型：增强型 GaN HEMT
额定电压：650V
额定电流：20A
导通电阻（Rds(on)）：22mΩ
栅极电荷（Qg）：80nC
输入电容（Ciss）：2050pF
输出电容（Coss）：95pF
反向恢复时间（trr）：<40ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
CL31A226MPHNNNE 具有以下关键特性：
1. 高开关频率支持，可实现更小的磁性元件设计。
2. 极低的导通电阻，减少传导损耗，提升系统效率。
3. 短暂的反向恢复时间，降低开关损耗。
4. 优化的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
5. 强大的短路耐受能力，增强可靠性。
6. 小型化的封装形式，节省 PCB 空间。
该芯片适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的 PFC 和 LLC 转换器。
2. 快速充电器及适配器。
3. 新能源汽车充电桩。
4. 工业用 DC-DC 转换器。
5. 电机驱动与控制电路。
6. 光伏逆变器及其他高效能量转换装置。
CL31A226MPHNNE, CL31A226MNHNNNE
