容量：8GB
　　类型：DRAM
　　封装：BGA
　　接口：HBM2
　　工作电压：1.2V
　　最大数据传输速率：3.2Gbps/pin
　　堆叠层数：4层
　　带宽：约256GB/s
　　工作温度范围：0°C至+85°C

H5TC8G43BMR-H9A 具有多个显著的性能和设计特性。首先，它采用了HBM2（High Bandwidth Memory 2）接口技术，相较于传统的GDDR5或DDR4内存，其带宽得到了显著提升，能够满足需要大量数据吞吐的高性能计算应用的需求。其次，该芯片采用堆叠式封装结构，将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，通过硅通孔（TSV）技术进行内部连接，大幅减少了封装体积并提高了信号传输效率。
　　此外，H5TC8G43BMR-H9A 的功耗控制表现优异，1.2V的工作电压有助于降低功耗，同时保持高性能运行，这对于对能效有严格要求的应用场景（如AI加速器、数据中心GPU）尤为重要。该芯片还具备良好的热管理能力，BGA封装提供了优异的散热性能，确保在高负载工作环境下仍能稳定运行。
　　在可靠性方面，H5TC8G43BMR-H9A 设计有多种错误检测与纠正机制，支持ECC（错误校验与纠正）功能，能够在数据传输过程中检测并纠正单比特错误，提高系统的稳定性和数据完整性。其工作温度范围为0°C至85°C，适用于各种工业级应用场景。

H5TC8G43BMR-H9A 主要应用于需要高带宽内存支持的高性能计算和图形处理领域。例如，在高端GPU和AI加速器中，该芯片能够提供足够的内存带宽，以支持深度学习训练、大规模并行计算和实时渲染等任务。此外，它也被广泛用于高性能服务器、网络交换设备、数据中心加速卡以及高端游戏显卡中。
　　在人工智能和机器学习领域，H5TC8G43BMR-H9A 可作为GPU或专用AI芯片（如TPU、FPGA）的高速缓存，用于存储训练模型参数和中间计算结果，从而提升整体计算效率。在网络设备中，该芯片可用于高速数据包缓存，提升数据转发性能。在游戏领域，其高带宽特性能够有效支持4K/8K超高清游戏画面的实时渲染，提升用户体验。

H5TC8G43AFR-P2C, H5TC4G83BFR-H9A, H5TC8G64AMR-P2C