时间：2025/8/24 15:48:14
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JX2N6800 是一款常见的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于电源管理和功率放大等电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：200V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：0.45Ω
功率耗散(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
JX2N6800 具有优异的导通特性和高耐压能力，适用于各种中高功率应用。其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间正常工作，提高了设计的灵活性。此外，其高功率耗散能力和良好的热稳定性使其在高负载环境下仍能保持稳定运行。
该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，便于安装和使用。JX2N6800 的封装设计也使其易于集成到PCB板上，并具备较强的机械强度和电气隔离性能。在高频开关应用中，其开关速度较快，能够满足大部分功率转换电路的需求。
JX2N6800 主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制、LED驱动器、功率放大器以及各种中高功率电子设备中。其优异的电气性能和稳定的运行表现使其成为工业控制、消费电子、汽车电子等领域中的常用器件。
2N6800, IRF540N, FQP12N60C, STP12N60DM2
