时间：2025/5/22 21:32:23
阅读：2
BU4S81G2-TR 是一款双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT），主要用于开关和放大应用。该型号由 ROHM Semiconductor 生产，采用 SOT-23 小型封装，具有低饱和电压和高增益的特点，适合用于各种消费类电子设备、通信产品和工业控制电路中。
集电极-发射极饱和电压：0.2V
直流电流增益（hFE）：100
集电极最大电流：200mA
集电极-发射极击穿电压：50V
功率耗散：360mW
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：SOT-23
BU4S81G2-TR 是一种高性能的 NPN 型晶体管，其主要特性包括低饱和电压、高电流增益以及宽工作温度范围。
它能够在高频条件下保持稳定的性能，并且由于采用了 SOT-23 封装，因此非常适用于空间受限的设计。此外，其高增益使得该器件非常适合于信号放大的场合，同时其低饱和电压也使其成为高效开关应用的理想选择。
该晶体管还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，从而确保在各种复杂环境下的可靠运行。
BU4S81G2-TR 广泛应用于多种领域，例如消费类电子产品中的音频信号放大器、电源管理模块中的开关元件、汽车电子系统中的传感器信号调节等。
此外，它还可以用作继电器驱动器、LED 驱动器或小型电机控制器等。在通信设备中，这款晶体管可以用来实现射频信号的处理与放大功能。总之，任何需要小信号放大或低功耗开关的应用场景都可能使用到 BU4S81G2-TR。
BU4S81G2-TA, 2SC3711
