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BUK7905-40AIE 发布时间 时间:2025/6/4 11:18:34 查看 阅读:7

BUK7905-40AIE 是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。其封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT)。BUK7905-40AIE的耐压值为40V,广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等领域。
  这款MOSFET的设计优化了功率损耗,使其在高频开关条件下表现优异。同时,其具备较低的栅极电荷和输出电容,进一步提高了系统的效率和可靠性。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:25nC(典型值)
  总栅极电荷:35nC(最大值)
  输入电容:1050pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃至175℃
  结温:175℃

特性

1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高额定电流能力,支持大功率应用。
  3. 快速开关性能,适合高频应用场合。
  4. 小巧的D2PAK封装设计,节省PCB空间。
  5. 较高的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  7. 内置ESD保护功能,增强抗干扰能力。
  8. 具备优秀的雪崩击穿能力和鲁棒性,提升整体可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
  2. DC-DC转换器,包括降压、升压及升降压拓扑结构。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载切换。
  4. 汽车电子系统中的电机驱动和继电器替代。
  5. 工业自动化设备中的功率开关。
  6. LED驱动电路中的开关元件。
  7. 通信设备中的电源模块。
  8. 计算机及其外设的电源管理单元。
  9. 各类消费类电子产品中的高效功率转换方案。

替代型号

IRLB8748PBF, FDP5560N, STP18NF40

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BUK7905-40AIE参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压40 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流155 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.005 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220
  • 封装Rail
  • 下降时间110 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散272 W
  • 上升时间115 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间155 ns
  • 零件号别名BUK7905-40AIE,127