AP16N50I-HF 时间：2025/9/23 17:56:51 阅读：9

AP16N50I-HF是一款由BCD Semiconductor（矽力杰）生产的高压超级结MOSFET功率晶体管，采用先进的超级结（Super Junction）技术设计，适用于高效率、高功率密度的电源转换应用。该器件额定电压为500V，连续漏极电流可达16A（在25°C下），具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能和热稳定性，能够显著降低开关损耗和导通损耗，提升系统整体能效。AP16N50I-HF属于硅基N沟道增强型MOSFET，广泛应用于AC-DC开关电源、适配器、LED照明电源、PFC电路、太阳能逆变器以及工业电源系统等场合。
　　该器件采用TO-220F或类似封装形式，具备良好的散热性能和机械可靠性，同时符合RoHS环保标准，并通过了无卤素（Halogen-Free）认证。其内部结构优化了电场分布，提升了击穿电压的稳定性和雪崩耐量，能够在高温、高湿和高电压应力环境下长期稳定工作。此外，AP16N50I-HF还具备快速体二极管响应能力，适合用于高频硬开关和部分软开关拓扑结构，如反激（Flyback）、正激（Forward）、LLC谐振变换器和有源钳位反激（Active Clamp Flyback）等。
　　由于其高性能参数和高可靠性，AP16N50I-HF常被用于替代其他品牌同规格的500V MOSFET产品，在消费类电子和工业级应用中均有广泛应用。该器件支持多种保护机制，包括过温保护、过流保护配合使用，有助于提高系统的安全性和可靠性。制造商提供了完整的数据手册、应用笔记和参考设计支持，便于工程师进行快速选型与系统优化。

参数

型号：AP16N50I-HF
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：16A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：64A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（@10V VGS）
　　阈值电压（Vth）：3.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@25V VDS）
　　输出电容（Coss）：280pF（@25V VDS）
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　二极管正向压降（VSD）：1.5V（@IF=16A）
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F
　　安装方式：通孔（Through-Hole）

特性

AP16N50I-HF采用BCD半导体独有的超级结（Super Junction）技术，实现了在500V高耐压条件下仍具备极低的导通电阻（典型值0.22Ω），从而大幅降低了导通损耗，提高了电源系统的整体转换效率。该技术通过交替排列P型和N型柱状区域，优化了漂移区的电荷平衡，使器件在高压阻断状态下仍能保持较低的电阻率，突破了传统MOSFET“硅极限”的限制。这一结构设计不仅提升了功率密度，还增强了器件的动态性能表现。
　　在开关特性方面，AP16N50I-HF具有较低的输入和输出电容（Ciss=1100pF, Coss=280pF），有效减少了驱动损耗和开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关应用（如100kHz以上）。其栅极电荷（Qg）较低，降低了对驱动电路的要求，简化了外围驱动设计，同时缩短了开关时间，减少了交越损耗。此外，器件的反向恢复时间（trr）仅为35ns，体二极管的恢复特性优良，避免了因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI）问题，提升了系统稳定性。
　　热性能方面，AP16N50I-HF的封装设计具有良好的热传导路径，最大功耗可达200W（在理想散热条件下），结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在高温工业环境下的可靠运行。器件经过严格的雪崩测试，具备一定的抗雪崩能量能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。同时，该MOSFET符合RoHS和无卤素标准，满足现代电子产品对环保和安全性的要求，适用于全球市场的出口需求。

应用

AP16N50I-HF主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合需要高效率、高可靠性和小体积设计的场合。其典型应用场景包括：500W以内的AC-DC电源适配器（如笔记本电脑、显示器、打印机等设备的外置电源），LED恒流驱动电源（特别是户外大功率LED照明系统），以及工业级开关电源模块（如通信电源、服务器电源等）。在这些应用中，该器件可作为主开关管或PFC升压开关管使用，发挥其低导通损耗和高开关频率的优势。
　　在功率因数校正（PFC）电路中，AP16N50I-HF常用于临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）升压拓扑，能够有效提升系统功率因数至0.99以上，同时满足IEC 61000-3-2等谐波电流限制标准。其快速开关能力和低EMI特性有助于简化滤波电路设计，降低系统成本。
　　此外，该器件也适用于太阳能微型逆变器、UPS不间断电源、电动工具充电器和家电变频电源等新兴领域。在LLC谐振变换器或有源钳位反激（ACF）拓扑中，AP16N50I-HF凭借其优良的体二极管特性和低栅电荷，可实现更高的系统效率和更低的温升。由于其封装兼容性强，易于替换市场上其他品牌的TO-220F封装MOSFET，因此在产品升级或国产化替代项目中具有明显优势。