时间：2025/5/12 13:25:04
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SI2301CDS是Vishay Siliconix推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用小尺寸的DFN2020-8封装。该器件具有极低的导通电阻和栅极电荷，适用于高频开关应用，例如同步整流、DC/DC转换器、负载开关以及便携式电子设备中的电源管理电路。其出色的电气性能使其成为高效能设计的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻（典型值）：7mΩ
栅极电荷：16nC
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：DFN2020-8
SI2301CDS是一款高性能的MOSFET器件，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在4.5V Vgs时仅为7mΩ，能够有效降低传导损耗。
2. 低栅极电荷（Qg）为16nC，适合高频开关应用，减少开关损耗。
3. DFN2020-8封装体积小巧，节省PCB空间，同时具备良好的热性能。
4. 符合RoHS标准，环保且无铅。
5. 提供卓越的可靠性和稳定性，适用于要求严格的工业和消费类电子产品中。
SI2301CDS广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 同步整流电路中的主开关或续流二极管替代方案。
2. 高效DC/DC转换器，特别是降压拓扑结构。
3. 负载开关及电池保护电路。
4. 消费类电子产品的电源管理模块。
5. 便携式设备如智能手机、平板电脑和平板电视的电源部分。
SI2302DS, SI2303DS
