时间：2025/6/6 18:49:20
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PBSS5160T是一款来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，提供出色的开关性能和低导通电阻特性，广泛应用于高效率电源转换、负载开关以及电机驱动等应用中。它具有极低的导通电阻和快速开关速度，非常适合需要高效能和小体积设计的应用场景。
此器件封装为TO-252(DPAK)，有助于提高散热性能并简化PCB布局。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：39A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ(典型值，在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg)：8nC(典型值)
总热阻(结到环境)：140°C/W
工作温度范围：-55°C至175°C
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可以显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适用于开关电源(SMPS)及DC-DC转换器。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准，绿色环保。
5. 小型化封装，节省PCB空间，便于紧凑型设计。
6. 提供卓越的电气特性和可靠性，适合工业和消费类应用。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电池管理系统(BMS)
4. 电机驱动与控制
5. 负载开关
6. 工业自动化设备中的功率级管理
7. 消费电子产品的适配器和充电器
IRF540N
FDP5500
AO3400
