您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PBSS5160T

PBSS5160T 发布时间 时间:2025/6/6 18:49:20 查看 阅读:5

PBSS5160T是一款来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,提供出色的开关性能和低导通电阻特性,广泛应用于高效率电源转换、负载开关以及电机驱动等应用中。它具有极低的导通电阻和快速开关速度,非常适合需要高效能和小体积设计的应用场景。
  此器件封装为TO-252(DPAK),有助于提高散热性能并简化PCB布局。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):39A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):8nC(典型值)
  总热阻(结到环境):140°C/W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),可以显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于开关电源(SMPS)及DC-DC转换器。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 符合RoHS标准,绿色环保。
  5. 小型化封装,节省PCB空间,便于紧凑型设计。
  6. 提供卓越的电气特性和可靠性,适合工业和消费类应用。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 电机驱动与控制
  5. 负载开关
  6. 工业自动化设备中的功率级管理
  7. 消费电子产品的适配器和充电器

替代型号

IRF540N
  FDP5500
  AO3400

PBSS5160T推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PBSS5160T资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

PBSS5160T参数

  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.4mm
  • 封装类型TO-236AB
  • 尺寸1 x 3 x 1.4mm
  • 引脚数目3
  • 晶体管类型PNP
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大功率耗散1250 mW
  • 最大发射极-基极电压5 V
  • 最大基极-发射极饱和电压1.1 V
  • 最大直流集电极电流1 A
  • 最大集电极-发射极电压60 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压0.33 V
  • 最大集电极-基极电压80 V
  • 最小直流电流增益100 V
  • 最高工作温度+150 °C
  • 最高工作频率220 MHz
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别双极功率
  • 配置
  • 长度3mm
  • 高度1mm