时间：2025/5/7 12:48:31
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LQP15MN3N3B02D 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的低导通电阻小型功率MOSFET，采用USP-6B封装。该器件主要针对需要高效能和小尺寸的应用而设计，例如便携式设备、消费类电子产品的电源管理电路以及负载开关等。其出色的性能使其在各种低电压应用中具有较高的效率和可靠性。
该型号属于LQP系列，这一系列以高可靠性和低导通电阻为特点，能够显著降低功耗并提升系统的整体效能。
最大漏源电压：30V
最大连续漏电流：3.6A
导通电阻（典型值）：2.8mΩ
栅极阈值电压：1.3V
工作结温范围：-55℃至175℃
封装类型：USP-6B
工作温度范围：-55℃至150℃
LQP15MN3N3B02D 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，仅为2.8mΩ（典型值），可有效减少功率损耗。
2. 小型化封装USP-6B，适合空间受限的应用场景。
3. 支持高达30V的漏源电压，具备一定的耐压能力。
4. 高达175℃的工作结温范围，适应恶劣的工作环境。
5. 快速开关性能，适用于高频开关电路。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的要求。
LQP15MN3N3B02D 主要应用于以下领域：
1. 消费类电子产品的电源管理电路，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
2. 负载开关，在不同负载之间进行切换。
3. DC-DC转换器中的开关元件，提供高效的电压转换。
4. 电池供电设备的保护电路，防止过流或短路。
5. 工业自动化设备中的小型驱动电路。
6. 各种低电压、大电流应用场景，如LED驱动和电机控制。
LQP15MN3N3B02DSR,LQP15MN3N3B02DS
