时间：2025/6/9 9:34:52
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MT15N471J500CT 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能功率开关的电路中。其出色的导通电阻和低栅极电荷特性使其在高频应用中表现出色。
型号：MT15N471J500CT
封装：TO-263
最大漏源电压（Vds）：450 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：15 A
脉冲漏极电流（Id, peak）：89 A
导通电阻（Rds(on)）：0.16 Ω
总栅极电荷（Qg）：39 nC
输入电容（Ciss）：2140 pF
输出电容（Coss）：95 pF
反向恢复时间（Tr）：95 ns
MT15N471J500CT 具有以下特点：
1. 高击穿电压，能够承受高达 450V 的漏源电压，适用于高电压应用场景。
2. 低导通电阻，仅为 0.16Ω，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 低栅极电荷设计，使得开关速度更快，适合高频开关应用。
4. 快速反向恢复特性，可减少开关过程中产生的能量损耗。
5. 优异的热性能，确保在高电流条件下具有可靠的散热能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
该器件广泛用于各种电力电子应用中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动控制电路，用于家用电器、工业设备等。
3. UPS 系统中的功率转换模块。
4. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
5. 各类工业自动化设备中的功率管理单元。
IRFZ44N, FDP15N45A
