PBSS4230PANP 是一款由 NXP(恩智浦)半导体公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效、高频率的功率转换应用,例如在电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备中广泛使用。其采用先进的沟槽技术,提供了优异的导通电阻(Rds(on))和开关性能,同时具有较高的热稳定性和可靠性。
类型:P 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):7.5A(在 Tmb = 25°C)
导通电阻 Rds(on):最大 23mΩ(在 Vgs = -10V)
功耗(Ptot):1.7W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-223
PBSS4230PANP 具有多个显著的性能优势,首先是其极低的导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其次,该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,使得在较小的芯片面积上实现了更高的电流处理能力,从而提高了功率密度。此外,该 MOSFET 支持高速开关操作,适用于高频 DC-DC 转换器和同步整流应用,有助于减小外部电感和电容的尺寸,提高电源的整体响应速度。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持 -10V 至 0V 的典型工作范围,这使得其能够兼容多种控制 IC 的驱动能力。同时,其具备良好的热稳定性,封装设计有助于快速散热,确保在高负载条件下的稳定运行。此外,PBSS4230PANP 还具有较强的抗雪崩能力和过载保护性能,适用于严苛的工业和汽车电子环境。
TO-223 封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在 PCB 上,适合自动化生产流程。这种封装形式也具有较高的机械强度和电气绝缘性能,能够在较宽的温度范围内保持稳定的工作状态。
PBSS4230PANP 主要用于需要高效功率转换和管理的应用场景,如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电源管理模块、电池供电设备以及工业控制和通信设备中的功率调节电路。此外,该器件也广泛应用于汽车电子系统中,例如车载充电器、电池管理系统(BMS)和电源分配模块等,其高可靠性和宽工作温度范围使其非常适合这些环境。
在现代电源设计中,随着对能效和功率密度的要求不断提高,PBSS4230PANP 凭借其低导通电阻和高速开关特性,成为替代传统双极型晶体管(BJT)和低性能 MOSFET 的理想选择。该器件也常用于多相电源设计中,以实现更小体积和更高效率的电源系统。
Si4435BDY, IRF9Z24N, FDS4435, AO4403