WS07D5H是一款高性能、低功耗的MOSFET开关管,广泛应用于电源管理、电机驱动以及负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有出色的电气性能和可靠性,能够适应各种复杂的工作环境。
WS07D5H属于N沟道增强型MOSFET,其导通电阻较低,可有效减少功率损耗并提升系统效率。此外,该芯片还具备快速开关速度和良好的热稳定性,非常适合对效率和散热要求较高的应用场合。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:10A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:25nC
开关时间:ton=18ns, toff=16ns
工作温度范围:-55℃至175℃
WS07D5H的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为4.5mΩ,有助于降低功耗。
2. 高速开关性能,支持高频应用,栅极电荷小,仅为25nC。
3. 良好的热稳定性,能够在高温环境下长期可靠运行。
4. 强大的过流能力,峰值电流可达短时15A以上。
5. 兼容标准CMOS和TTL逻辑电平输入,便于与各类控制电路搭配使用。
6. 小型化封装设计,节省PCB空间,同时提供优异的散热性能。
WS07D5H适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC转换器和降压/升压模块。
3. 电机驱动及电子负载控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
6. 各类电池管理系统(BMS)中的保护开关。
7. LED驱动电路中作为高效开关元件。
IRFZ44N
FDP5502
STP10NK06Z