时间：2025/5/8 14:37:40
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FQD2N100 是一款 N 沣道半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TO-247 封装，适用于高电压和高电流的应用场景。其主要用途是在电力电子设备中作为开关或放大器元件。该芯片具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，能够满足工业、汽车以及消费类电子产品的多种需求。
FQD2N100 的设计使得它在高频开关应用中表现出色，并且具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：1000V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：8A
导通电阻：1.8Ω
功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
FQD2N100 具备以下显著特性：
1. 高击穿电压（1000V），使其适合高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻（1.8Ω），从而减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，确保在高频条件下性能优异。
4. 稳定的动态特性，即使在极端温度范围内也能保持可靠运行。
5. 良好的抗雪崩能力，可以承受短暂的过载情况。
6. TO-247 封装形式，提供优秀的散热性能。
FQD2N100 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 逆变器和电机驱动电路中的关键元件。
3. 工业控制设备中的高压开关。
4. 新能源系统如太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. 汽车电子中的负载切换与保护功能。
6. 各种需要高压大电流处理能力的场合。
IRFP460, STGW10N60DF2, FDP12N100
