类型：P沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(VDS)：-30V
　　栅极-源极电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-5.7A
　　导通电阻(RDS(on))：@4.5V VGS时为0.044Ω，@2.5V VGS时为0.055Ω，@1.8V VGS时为0.085Ω
　　栅极电荷(QG)：11nC @ 4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSSOP

IRLM6402GPBF具备多项优异特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高整体效率。其次，该器件支持低至1.8V的栅极驱动电压，适用于低电压微控制器或数字逻辑控制的应用场景。此外，IRLM6402GPBF采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供更高的电流密度和更小的芯片尺寸，从而实现更紧凑的设计。
　　在热性能方面，IRLM6402GPBF的TSSOP封装具有良好的热传导性能，能够有效散热，避免因过热而导致的性能下降或器件损坏。其栅极驱动电压范围较宽（可达±20V），增强了设计灵活性。同时，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够在高应力条件下保持稳定工作。
　　另外，IRLM6402GPBF符合RoHS环保标准，无铅封装设计使其适用于对环保要求较高的电子产品制造。该器件的高可靠性和长寿命也使其成为工业控制、通信设备和消费类电子产品中的理想选择。

IRLM6402GPBF广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、负载开关、电池供电设备、DC-DC转换器、电机控制电路以及工业自动化设备等。由于其支持低电压驱动，特别适用于由微控制器或数字信号处理器（DSP）控制的电源开关应用。此外，该器件也可用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备的电源管理模块，以提升能效并延长电池续航时间。

Si4435BDY-E3-GEVB, FDS6680, IRLML6401TRPBF