PBSS4130PANP,115 是由Nexperia(安世半导体)推出的一款高性能双极性晶体管(BJT),采用PNP晶体管结构,主要用于需要高效能和高可靠性的电子电路中。该晶体管封装在小型DFN(无引脚)封装中,适合表面贴装(SMT)应用,广泛应用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品。
类型:PNP晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
直流电流增益(hFE):110-800(根据工作条件)
频率响应:100MHz(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:DFN115(无铅封装)
PBSS4130PANP,115具有卓越的电气性能和稳定性,适用于多种电路设计需求。首先,该晶体管的高电流增益(hFE)范围宽广,从110到800,使其能够在不同的工作条件下保持稳定的放大性能。其次,其高频率响应能力可达100MHz,使得该晶体管能够适用于高频放大和开关应用。
此外,该器件的封装设计紧凑,采用DFN115无铅封装技术,不仅节省空间,还提高了热管理和可靠性,适合高密度PCB设计。晶体管的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,使其适用于严苛的工业和汽车环境。
在功耗方面,PBSS4130PANP,115的最大功耗为300mW,能够在不牺牲性能的情况下实现高效的能量管理。结合其最大集电极-发射极电压为30V和最大集电极电流为100mA的特点,该晶体管适合中低功率应用,如信号放大、逻辑电平转换以及驱动小型负载等场景。
PBSS4130PANP,115凭借其高性能和紧凑封装,广泛应用于多个领域。在汽车电子中,该晶体管可用于传感器信号处理、车身控制模块以及车载娱乐系统的电源管理。在工业自动化和控制系统中,PBSS4130PANP,115常用于继电器驱动、PLC模块和电机控制电路中的信号切换和逻辑控制。
在消费类电子产品中,例如智能手机、平板电脑和智能家居设备,该晶体管可以用于电池管理、LED驱动以及音频信号放大等应用场景。此外,在通信设备中,PBSS4130PANP,115可用于射频信号放大和数据传输电路中的开关控制。
由于其优异的热管理和高可靠性,该晶体管还被广泛用于便携式设备和高密度电路板设计中,以满足对空间和能效的严格要求。
BC847P, BC857B, 2N3906