IRF6215S 是一款N沟道增强型功率MOSFET,由Vishay公司生产。该器件采用逻辑电平驱动设计,适用于低电压应用场合。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合于高效能转换和高频开关电路。其封装形式为TO-252(DPAK),能够提供出色的散热性能和电气特性。
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):47A
导通电阻(Rds(on)):8.5mΩ (在Vgs=10V时)
输入电容(Ciss):1320pF
总栅极电荷(Qg):41nC
开关时间:开启时间(t(on))=19ns,关断时间(t(off))=18ns
IRF6215S是一款高性能的MOSFET,其主要特点包括:
1. 低导通电阻:Rds(on)仅为8.5mΩ,这有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关性能:具备较小的总栅极电荷和快速的开关时间,适合高频开关应用。
3. 逻辑电平驱动:能够在低至4.5V的栅极驱动电压下正常工作,简化了驱动电路设计。
4. 较高的电流承载能力:连续漏极电流高达47A,满足大功率应用需求。
5. 小巧的封装:采用TO-252(DPAK)封装,既节省空间又便于安装和散热。
IRF6215S广泛应用于多种电力电子领域,主要包括:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 直流-直流(DC-DC)转换器,如降压、升压和反激式转换器。
3. 电机驱动电路,用于控制小型直流电机或步进电机。
4. 负载切换和保护电路,如电池管理系统(BMS)中的开关元件。
5. 可再生能源系统中的功率转换模块,例如太阳能逆变器或风力发电控制器。
IRF6215, IRF6215PBF