EUA2010BJIR1 时间：2025/12/27 14:23:54 阅读：22

EUA2010BJIR1是一款由欧司朗（OSRAM）推出的高性能红外发射二极管，专为需要高效红外光源的应用而设计。该器件采用先进的半导体技术制造，具备高辐射强度、稳定的光电性能以及出色的可靠性，适用于多种工业和消费类电子产品中的红外信号传输与传感场景。EUA2010BJIR1属于表面贴装型（SMD）器件，封装尺寸紧凑，适合自动化贴片生产流程，广泛应用于遥控系统、接近传感器、光耦合器、烟雾探测器及各类光学检测设备中。其发光波长位于近红外区域，通常在850nm至940nm之间，能够与多种硅基光电探测器良好匹配，确保高效的光信号接收与处理。此外，该器件具有良好的热稳定性和较长的使用寿命，能够在较宽的温度范围内保持稳定的输出特性，适应严苛的工作环境。

参数

型号：EUA2010BJIR1
　　制造商：OSRAM Opto Semiconductors
　　封装类型：SMD，2010尺寸（约2.0 x 1.0 mm）
　　发光波长：典型值940 nm
　　正向电压：典型值1.35 V（在100 mA条件下）
　　反向电压：最大5 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +100°C
　　峰值辐射强度：典型值大于100 mW/sr（在100 mA脉冲电流下）
　　视角（半强度角）：±15° 或 ±20°（具体视批次而定）
　　最大正向电流：连续工作时350 mA，脉冲模式可达1 A（占空比受限）
　　功率耗散：最大约150 mW
　　芯片材料：AlGaAs（铝镓砷）
　　极性标识：阴极有颜色标记或凹槽指示

特性

EUA2010BJIR1的核心优势在于其高亮度红外发射能力与小型化封装的结合，使其成为众多空间受限应用的理想选择。该器件采用AlGaAs（铝镓砷）半导体材料体系，能够在940nm波长附近实现高效的红外辐射输出，这一波长对人眼不可见，同时能被标准硅光电二极管和晶体管有效检测，因此非常适合用于隐蔽式通信与感应系统。其表面贴装封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，有助于提升长期工作的稳定性。器件的设计优化了光束方向性，提供较为集中的辐射角度（如±15°），从而增强目标区域的光强密度，减少杂散光干扰。
　　在电气性能方面，EUA2010BJIR1具有较低的正向导通电压，通常在1.35V左右（@100mA），这有助于降低驱动电路的功耗，特别适合电池供电设备。它支持高脉冲电流操作，在短时间脉冲模式下可承受高达1A的瞬态电流，从而实现远距离或高信噪比的信号发射。此外，该器件具备优异的抗静电能力和温度稳定性，即使在高温高湿环境下也能维持可靠的光电转换效率。其寿命长达数万小时，在正常使用条件下几乎无需维护。
　　制造工艺上，EUA2010BJIR1遵循严格的工业标准，具备良好的批次一致性，便于大规模生产和自动化装配。产品通过无铅认证，符合RoHS环保要求，并可在回流焊过程中承受JEDEC标准规定的热应力，确保焊接可靠性。由于其出色的综合性能，该器件被广泛用于高端家电遥控器、智能照明控制、安防监控系统的夜视补光、自动水龙头、智能手机中的接近感应模块等场景。

应用

EUA2010BJIR1主要用于需要小型化、高效率红外发射源的各种电子系统中。典型应用包括红外遥控器（如电视、空调、机顶盒等家用电器遥控发射端），其中其940nm波长可有效避免可见光干扰并实现稳定信号传输；在接近传感器系统中，该器件作为主动光源配合接收器用于检测物体是否存在，常见于智能手机、平板电脑中以关闭屏幕防止误触；在烟雾探测器中，利用红外光散射原理进行颗粒物检测，EUA2010BJIR1提供稳定的激励光源；此外，也广泛应用于工业自动化领域的光电开关、编码器、光栅尺以及隔离式信号传输的光耦合器中。由于其响应速度快、调制性能好，还可用于简单的红外数据通信链路，如IrDA兼容设备之间的低速通信。在智能楼宇和物联网设备中，该器件支持手势识别、存在感知等功能模块的构建。