1PMT5926/TR13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的双极型晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该器件适用于各种通用开关和放大应用。该晶体管采用SOT-23(小外形晶体管)封装,适用于表面贴装技术,适合在空间受限的电路设计中使用。1PMT5926/TR13 具有较高的可靠性和稳定性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
晶体管类型:PNP
集电极-发射极电压(Vceo):100V
集电极-基极电压(Vcbo):100V
发射极-基极电压(Vebo):5V
集电极电流(Ic):100mA
功耗(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOT-23
过渡频率(fT):100MHz
电流增益(hFE):110 ~ 800(根据档位不同)
1PMT5926/TR13 具备良好的电气性能和稳定的电流增益特性,适用于通用放大和开关电路。该晶体管的集电极-发射极电压(Vceo)为100V,能够承受较高的电压应力,适合用于中等功率应用。其SOT-23封装形式不仅节省空间,而且具有良好的热性能和机械稳定性,适用于自动化装配流程。
此外,该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽(110 ~ 800),根据不同的制造等级划分,用户可以根据具体应用需求选择合适的增益档位。其过渡频率(fT)为100MHz,支持在高频环境下稳定工作,适用于射频(RF)和高速开关应用。
1PMT5926/TR13 的功耗为300mW,在正常工作条件下具有良好的热管理能力,能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定运行,适用于各种严苛环境下的电子设备。
1PMT5926/TR13 主要用于通用放大器、开关电路、逻辑电平转换、LED驱动、继电器控制以及低功率电源管理电路。该晶体管也常用于音频放大器前端电路、数字逻辑电路中的信号控制,以及电池供电设备中的低功耗控制模块。由于其高频响应能力,该器件在射频前端电路和无线通信设备中也有广泛应用。此外,其SOT-23封装形式使其非常适合用于便携式电子产品、传感器接口电路和嵌入式控制系统。
BC807-40W、2N3906、MMBT5926、PN2907A、DTC114EKA