RM4136D是一款高性能的MOSFET功率器件,适用于多种电力电子应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等优点。
该芯片广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域,其出色的电气特性和可靠性使其成为众多设计中的理想选择。
型号:RM4136D
类型:N沟道增强型MOSFET
VDS(漏源极电压):60V
RDS(on)(导通电阻):2.8mΩ(典型值,在VGS=10V时)
ID(连续漏极电流):120A
Qg(栅极电荷):45nC
fT(截止频率):3.2MHz
VGS(th)(栅极开启电压):2.0V~4.0V
结温范围:-55℃~175℃
RM4136D具备以下显著特性:
1. 低导通电阻,有助于减少导通损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力,能够支持大功率应用需求。
3. 快速开关特性,适合高频工作环境。
4. 出色的热稳定性,确保在恶劣条件下也能正常运行。
5. 紧凑型封装设计,节省PCB空间,便于系统集成。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
RM4136D主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 各类电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 新能源汽车相关的电池管理系统(BMS)及逆变器。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统中的功率转换部分。
6. 其他需要高效功率切换的应用场景。
IRF3710, FDP55N06L