时间：2025/9/1 18:14:10
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GM71VLS17403CLT 是由 Alliance Semiconductor（现为 ISSI 的一部分）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件的容量为 256K x 16 位，总共提供 4 兆位（4Mbit）的存储空间。该芯片采用高速 CMOS 工艺制造，适用于需要高性能和低功耗的应用。GM71VLS17403CLT 属于异步 SRAM，不需要时钟信号，而是通过地址线和控制信号（如 CE#、OE# 和 WE#）进行读写操作。该芯片通常用于嵌入式系统、网络设备、工业控制器、通信模块以及其他需要高速数据存储的应用场景。
容量：256K x 16 位
电源电压：3.3V
访问时间：10ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)
接口类型：并行异步接口
控制信号：CE#（片选）、OE#（输出使能）、WE#（写使能）
最大工作频率：100MHz
功耗：典型值 120mA（待机模式下低于 10mA）
GM71VLS17403CLT 是一款高性能的异步 SRAM 芯片，具备高速访问能力和低功耗特性，适合用于各种高性能嵌入式系统。其主要特性包括：
1. 高速访问能力：该芯片的访问时间仅为 10ns，意味着其最大工作频率可达到 100MHz，能够满足高速缓存、实时数据缓冲等应用对快速响应的需求。
2. 低电压操作：芯片采用 3.3V 电源供电，降低了功耗，并提高了系统的能效。这种电压水平也与现代控制器和处理器的 I/O 电平兼容，方便集成到各种电路设计中。
3. 工业级工作温度范围：该芯片支持 -40°C 至 +85°C 的工作温度范围，适用于工业环境下的各种应用场景，如工业自动化控制、通信设备和嵌入式系统等。
4. 封装小巧：采用 TSOP（薄型小外形封装）形式，有助于节省 PCB 空间，适合高密度设计。
5. 异步接口设计：无需时钟信号，通过地址总线和控制信号（CE#、OE#、WE#）即可实现读写操作，简化了接口设计，提高了系统灵活性。
6. 低功耗模式：在待机状态下，芯片的电流消耗极低，典型值低于 10mA，适用于需要节能设计的便携式或电池供电设备。
7. 高可靠性：基于 CMOS 工艺制造，具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于长时间运行的关键系统。
GM71VLS17403CLT 广泛应用于需要高速数据存储和低功耗特性的系统中，例如：
1. 网络设备：用于缓存路由表、数据包缓冲等任务，确保高速数据转发。
2. 嵌入式系统：作为主控处理器的外部高速缓存或数据缓冲器，提高系统响应速度。
3. 工业控制器：用于临时存储运行参数、状态信息和控制逻辑，确保系统稳定运行。
4. 通信模块：在无线基站、调制解调器等设备中作为数据缓冲器，提高通信效率。
5. 消费类电子产品：如高端音频设备、视频采集卡等，用作帧缓冲或高速缓存，提升用户体验。
6. 测试测量设备：用于临时存储采样数据或中间计算结果，确保高速数据处理。
7. 汽车电子系统：用于车载控制系统中的实时数据处理和缓存，满足汽车环境下的高可靠性需求。
IS61LV25616-10TL, CY7C1041GN30-10ZSXI, IDT71V416S10PFG, A25616D10PFI
